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SBL(F,B)1030CT & SBL(F,B)1040CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88726
Revision: 25-Apr-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1
0.1
0.01
0 0.2 0.6 1.2 1.40.4 0.8
1.0
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.1
1
10
100
100
1000
10 000
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
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